[发明专利]一种三元半导体复合薄膜及其制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201910710956.3 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110592596A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 郭惠霞;刘籽烨;李亮亮;苏策;于冬梅;张玉蓉 | 申请（专利权）人： | 西北师范大学 |
| 主分类号： | C23F13/14 | 分类号： | C23F13/14;C25D11/26;C01G11/02;C01G49/00 |
| 代理公司： | 11279 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 | 代理人： | 贾慧娜 |
| 地址： | 730010 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电化学阴极保护技术领域，具体为一种三元半导体复合薄膜及其制备方法和应用，其目的在于针对现有技术中指出的不足，提供一种三元半导体复合薄膜及其制备方法和应用，旨在解决现有技术中单一TiO2半导体材料宽带隙在吸收光之后产生的电子的迁移率较低，电子和空穴的分离效果较差，容易导致光生电荷发生复合和较短的光响应范围等问题；通过阳极氧化法、连续离子层吸附法和水热法等在钛片上依次制备了TiO2、TiO2/CdS、TiO2/CdS/ZnFe2O4薄膜；其有益效果在于：TiO2/CdS/ZnFe2O4薄膜的光电化学性质和光生阴极保护性能与单一TiO2样品相比都有显著地提升，对不锈钢具有优异的防腐保护性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制备方法和应用 三元半导体 复合薄膜 薄膜 半导体材料 空穴 光电化学性质 光生阴极保护 阴极保护技术 阳极氧化法 防腐保护 分离效果 光电化学 光生电荷 连续离子 光响应 宽带隙 迁移率 水热法 吸附法 吸收光 钛片 不锈钢 制备 复合 | ||
【主权项】：
1.一种三元半导体复合薄膜，其特征在于，包括以下组分：TiO2、CdS和ZnFe2O4。/n
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