[发明专利]一种具有非对称原胞的IGBT器件及制备方法有效
| 申请号： | 201910711494.7 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110429134B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 龚大卫;刘剑;郑泽人;王玉林 | 申请（专利权）人： | 扬州国扬电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 饶欣 |
| 地址： | 225101 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有非对称原胞的IGBT器件及制备方法，包括P型收集极，P型收集极顶部设有N型衬底，N型衬底上设有多个沟槽，沟槽的侧壁和底部均设有栅氧化层，一个沟槽的一半部分属于有效原胞，另一半部分属于虚拟原胞，沟槽底部的栅氧化层的厚度和虚拟原胞中沟槽侧壁的栅氧化层的厚度均大于有效原胞中沟槽侧壁的栅氧化层的厚度，沟槽内设有多晶硅层，相邻两个沟槽之间设有P型井，P型井中设有重掺杂P型区和重掺杂N型区，重掺杂N型区属于有效原胞，重掺杂P型区一半属于有效原胞，另一半属于虚拟原胞，沟槽顶部设有层间隔离层，层间隔离层上设有接触孔，层间隔离层外覆盖有收集极金属层。本发明能在减小米勒电容同时保持器件导通压降不变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 对称 igbt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有非对称原胞的IGBT器件，包括P型收集极(24)，P型收集极(24)顶部设有N型衬底(23)，N型衬底(23)上设有多个沟槽(22)，沟槽(22)的侧壁和底部均设有栅氧化层，其特征在于：一个沟槽(22)的一半部分属于有效原胞(201)，另一半部分属于虚拟原胞(202)，沟槽(22)底部的栅氧化层(221)的厚度和虚拟原胞(202)中沟槽(22)侧壁的栅氧化层(221)的厚度均大于有效原胞(201)中沟槽(22)侧壁的栅氧化层(221)的厚度，沟槽(22)内设有多晶硅层(222)，相邻两个沟槽(22)之间设有P型井(26)，P型井(26)中设有重掺杂P型区(28)和重掺杂N型区(27)，重掺杂N型区(27)属于有效原胞(201)，重掺杂P型区(28)一半属于有效原胞(201)，另一半属于虚拟原胞(202)，沟槽(22)顶部设有层间隔离层(25)，层间隔离层(25)上设有接触孔(29)，层间隔离层(25)外覆盖有收集极金属层(21)。
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