[发明专利]等离子体刻蚀设备有效
| 申请号： | 201910711497.0 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN112309807B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 黄允文;倪图强;梁洁;赵金龙 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/20 | 分类号： | H01J37/20;H01J37/02;H01J37/18;H01J37/24;H01J37/30;H01J37/305 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种等离子体刻蚀设备包括：反应腔，反应腔包括反应腔顶部，反应腔顶部设有第一开口；下电极组件，位于反应腔内底部，下电极组件包括用于承载待处理基片的承载面；位于第一开口内的安装基板，安装基板与第一开口侧壁之间具有间隙；位于反应腔顶部外的固定部，固定部设有第二开口；连接部，连接部贯穿第二开口，连接部与第二开口侧壁之间具有间隙，连接部包括相对的第一端和第二端，第一端与安装基板连接；与第二端连接的驱动装置，驱动装置可驱动安装基板沿垂直于承载面方向上运动；包围连接部的第一波纹管，第一波纹管用于维持反应腔为密闭空间。所述等离子体刻蚀设备能够满足不同的工艺需求。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
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