[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910712108.6 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110518056B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 赵景川;张志丽;张森 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 傅康 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底，具有第二导电类型；漂移区，设于衬底上，具有第一导电类型；源极区，具有第一导电类型；漏极区，具有第一导电类型；纵向浮空场板结构，设于所述源极区和漏极区之间，包括设于沟槽内表面的介质层、以及填充于所述沟槽内的多晶硅，所述沟槽从所述漂移区的上表面向下贯穿漂移区伸入衬底中，所述纵向浮空场板结构的数量为至少两个，且至少有两个位于导电沟道长度方向的不同位置上。本发明位于导电沟道长度方向的不同位置上的两个纵向浮空场板结构形成平行板电容器，因此可以起到对器件分压的作用，从而改善漂移区内电场，提高器件的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：/n衬底，具有第二导电类型；/n漂移区，设于所述衬底上，具有第一导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；/n源极区，具有第一导电类型；/n漏极区，具有第一导电类型；/n纵向浮空场板结构，设于所述源极区和漏极区之间，包括设于沟槽内表面的介质层、以及填充于所述沟槽内的多晶硅，所述沟槽从所述漂移区的上表面向下贯穿漂移区伸入衬底中，所述纵向浮空场板结构的数量为至少两个，且至少有两个位于导电沟道长度方向的不同位置上。/n
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