[发明专利]一种高效整流器及其制造方法在审
| 申请号： | 201910712156.5 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110534584A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 陈文锁;徐向涛;张成方;廖瑞金 | 申请（专利权）人： | 重庆大学;重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 50201 重庆大学专利中心 | 代理人： | 胡正顺<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高效整流器及其制造方法，高效整流器包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、第一导电类型漂移层、沟槽栅介质区、沟槽栅填充区、肖特基势垒接触区、隔离介质区和上电极层。制造方法步骤为：1)准备重掺杂第一导电类型衬底层；2)形成第一导电类型漂移层；3)在第一导电类型漂移层表面刻蚀出槽型；4)形成沟槽栅介质区；5)形成沟槽栅填充区；6)形成隔离介质区；7)形成肖特基势垒接触区；8)形成上电极层；9)形成下电极层。本发明在不增加制造工艺步骤和制造成本的基础上获得反向恢复时间短，开关损耗小的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 沟槽栅 漂移层 肖特基势垒接触 隔离介质区 下电极层 衬底层 电极层 介质区 填充区 整流器 重掺杂 表面刻蚀 反向恢复 开关损耗 制造成本 制造工艺 制造 | ||
【主权项】：
1.一种高效整流器，其特征在于，主要包括下电极层(1)、重掺杂第一导电类型衬底层(2)、第一导电类型漂移层(3)、沟槽栅介质区(4)、沟槽栅填充区(5)、肖特基势垒接触区(6)、隔离介质区(7)和上电极层(8)；/n所述重掺杂第一导电类型衬底层(2)覆盖于下电极层(1)之上；/n所述第一导电类型漂移层(3)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(2)之上。/n所述沟槽栅介质区(4)为U型槽；/n所述沟槽栅介质区(4)覆盖在第一导电类型漂移层(3)之上的部分表面；/n所述沟槽栅填充区(5)填充在沟槽栅介质区(4)内；/n所述肖特基势垒接触区(6)覆盖在第一导电类型漂移层(3)之上的部分表面；/n所述肖特基势垒接触区(6)和沟槽栅介质区(4)间隔分布；/n所述介质隔离区(7)完全覆盖在沟槽栅填充区(5)之上；/n所述上电极层(8)覆盖在肖特基势垒接触区(6)和介质隔离区(7)之上。/n
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