[发明专利]一种10纳米以下硅基鳍式场效应晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201910712619.8 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110556297A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 熊诗圣;姜琴;李冬雪 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 31200 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路制造技术领域，具体为一种10纳米以下硅基鳍式场效应晶体管的制备方法。本发明采用嵌段共聚物导向自组装材料在衬底上制备硅基鳍式场效应晶体管，该硅基鳍式场效应晶体管阵列临界尺寸为10nm以下；衬底为绝缘层上硅(SOI)，嵌段共聚物导向自组装材料为具有两种或两种以上不同单体聚合的嵌段共聚物，嵌段共聚物满足χN≥10，N为嵌段共聚物的总聚合度，χ为各嵌段之间的弗洛里‑哈金斯相互作用参数；本发明通过嵌段共聚物的导向自组装技术先形成原始图案，然后通过刻蚀转移到衬底的顶层硅，通过这种光刻技术得到的器件最小临界尺寸可以达到8 nm，并表现出高的跨导,极低的关电流和高的开关比。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌段共聚物 鳍式场效应晶体管 衬底 自组装材料 硅基 集成电路制造技术 绝缘层上硅 单体聚合 光刻技术 原始图案 制备硅基 顶层硅 聚合度 开关比 自组装 刻蚀 嵌段 制备 表现 | ||
【主权项】：
1. 一种10纳米以下硅基鳍式场效应晶体管的制备方法， 其特征在于，采用嵌段共聚物导向自组装材料在衬底上制备硅基鳍式场效应晶体管，该硅基鳍式场效应晶体管阵列临界尺寸为10nm以下，跨导为150 µS以上, 漏电流为~60 pA以下，开关比为3×10
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
