[发明专利]一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法有效
| 申请号： | 201910712981.5 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110455873B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张勇;刘灿;谭俊江;孟繁朴 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;C01G39/06;C01G41/00 |
| 代理公司： | 南京行高知识产权代理有限公司 32404 | 代理人： | 王培松 |
| 地址： | 411105 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种采用W掺杂改善MoS |
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| 搜索关键词： | 一种 采用 掺杂 改善 mos2 气体 传感器 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法，在MoS2生长过程中，引入与Mo4+离子半径相近的W4+离子，W4+进入晶格后填补了Mo4+缺失产生的空位，达到MoS2均匀表面的目的，其特征在于，通过对MoS2材料中空位的填补实现气敏性能提升。/n
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