[发明专利]一种磁传感器的制造方法、磁传感器及电子设备有效
| 申请号： | 201910713241.3 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110581216B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波;冷群文 | 申请（专利权）人： | 潍坊歌尔微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 王昭智 |
| 地址： | 261061 山东省潍坊市高新区新城*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁传感器的制造方法、磁传感器及电子设备，将位于生长衬底上的磁阻阵列与接收衬底结合在一起；从生长衬底侧用激光选择性照射生长衬底，以将所选择的部分磁阻从生长衬底剥离下来并转移到接收衬底上；旋转生长衬底至预定的位置，将位于生长衬底上的磁阻阵列与接收衬底结合在一起；从生长衬底侧用激光选择性照射生长衬底，以将所选择的部分磁阻从生长衬底剥离下来并转移到接收衬底上，得到不同钉扎方向的磁阻图案；本发明的制造方法，可以降低制造成本，并可获得钉扎方向不同的磁阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 传感器 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS100,将位于生长衬底上的磁阻阵列与接收衬底结合在一起；/nS200,从生长衬底侧用激光选择性照射生长衬底，以将所选择的部分磁阻从生长衬底剥离下来并转移到接收衬底上；/nS300,旋转生长衬底至预定的位置，将位于生长衬底上的磁阻阵列与接收衬底结合在一起；/nS400,从生长衬底侧用激光选择性照射生长衬底，以将所选择的部分磁阻从生长衬底剥离下来并转移到接收衬底上，得到不同钉扎方向的磁阻图案。/n
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