[发明专利]一种增强型石墨烯近红外宽波段光吸收结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910713287.5 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110534608A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 刘永;杜明 | 申请（专利权）人： | 苏州众为光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/028;H01L31/0236;H01L31/0352;B81B7/04;C01B32/182 |
| 代理公司： | 11369 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 韩飞<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型石墨烯近红外宽波段光吸收结构及其制备方法，该光吸收结构包括：从下往上依次层叠设置的金属基底、介质层、金属微纳阵列及石墨烯。根据本发明，通过在金属基底上方放置一个金属微纳阵列，两个金属的电场之间发生很强的交互作用从而产生局域的等离子体激元谐振耦合，将石墨烯与这种结构结合，使得石墨烯表面的局域场增强从而增强了石墨烯的光吸收率；通过对金属微纳阵列占空比的调整，可以实现石墨烯在特定波段光吸收的增强。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 金属 光吸收 金属基 等离子体激元 红外宽波段 光吸收率 交互作用 结构结合 谐振耦合 依次层叠 电场 波段光 介质层 局域场 增强型 占空比 制备 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种增强型石墨烯近红外宽波段光吸收结构，其特征在于，包括从下往上依次层叠设置的金属基底(4)、介质层(3)、金属微纳阵列(2)及石墨烯(1)。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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