[发明专利]一种化学气相沉积工艺在审
| 申请号： | 201910716339.4 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN110331387A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡坤峯;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体地涉及一种化学气相沉积工艺。所述工艺包括：升温阶段，将反应腔的温度提升到设定温度；反应阶段，所述反应阶段包括至少两个子反应阶段，当所述反应为放热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次降低，当所述反应为吸热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次升高；降温阶段，将反应腔的温度降低到常温。通过阶段式调整反应温度来调整CVD薄膜厚度均匀度，改善了产品良率，增加了产品良率的稳定度。 | ||
| 搜索关键词： | 反应阶段 化学气相沉积 产品良率 反应腔 半导体技术领域 放热反应 厚度均匀 降温阶段 升温阶段 温度降低 温度提升 吸热反应 阶段式 稳定度 薄膜 升高 申请 | ||
【主权项】：
1.一种化学气相沉积工艺，其特征在于，包括：升温阶段，将反应腔的温度提升到设定温度；反应阶段，所述反应阶段包括至少两个子反应阶段，当所述反应为放热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次降低，当所述反应为吸热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次升高；降温阶段，将反应腔的温度降低到常温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910716339.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
