[发明专利]P型MOSFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201910716589.8 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN110491944B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李中华 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型MOSFET，包括：由栅介质层和栅极导电材料层叠加而成的栅极结构；栅介质层形成于半导体衬底表面上，被栅极结构所覆盖的半导体衬底中形成有由N阱组成的沟道区；N阱由退火后的磷注入区、第一砷注入区和第二砷注入区叠加而成，第一和第二砷注入区叠加形成沟道区中的阈值电压调整区；第一砷注入区的注入深度大于第二砷注入区的注入深度，第一砷注入区使第一砷注入区的注入深度范围内的半导体衬底形成非晶化层，非晶化层使第二砷注入区的注入均匀性增加以及使第二砷注入区的位于半导体衬底表面处的掺杂浓度峰值降低，以降低闪烁噪声。本发明还公开了一种P型MOSFET的制造方法。本发明能降低器件闪烁噪声。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种P型MOSFET，其特征在于，包括：/n由栅介质层和栅极导电材料层叠加而成的栅极结构；/n所述栅介质层形成于半导体衬底表面上，被所述栅极结构所覆盖的所述半导体衬底中形成有由N阱组成的沟道区，被所述栅极结构所覆盖的所述沟道区的表面用于形成反型的沟道；/n所述N阱包括磷注入区、第一砷注入区和第二砷注入区，由退火后的所述磷注入区、所述第一砷注入区和所述第二砷注入区叠加形成所述N阱，所述第一砷注入区和所述第二砷注入区叠加形成所述沟道区中的阈值电压调整区；/n所述第一砷注入区的注入深度大于所述第二砷注入区的注入深度，所述第一砷注入区使所述第一砷注入区的注入深度范围内的所述半导体衬底形成非晶化层，所述非晶化层使所述第二砷注入区的注入均匀性增加以及使所述第二砷注入区的位于所述半导体衬底表面处的掺杂浓度峰值降低，以降低闪烁噪声。/n
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