[发明专利]一种基于纳米尺度残余应变优化的仿生陶瓷基材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910716958.3 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN110408087B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 俞书宏;茅瓅波;孟玉峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C08L5/08 | 分类号： | C08L5/08;C08L89/00;C08L33/04;C08K3/26;C08K3/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘颖 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于纳米尺度残余应变优化的仿生陶瓷基材料及其制备方法，该材料包括：陶瓷基框架；与所述陶瓷基框架相复合的聚合物；所述陶瓷基框架包括陶瓷基体和杂质纳米基元，所述杂质纳米基元嵌入陶瓷基体晶粒中和/或存在于陶瓷基体晶粒之间。该方法主要步骤为：将杂质纳米基元与陶瓷基体共沉积生长到有序框架上，从而使杂质纳米基元嵌入陶瓷基体中，利用真空辅助将聚合物灌入得到的陶瓷框架内，通过热压法，可得到致密的层状陶瓷基复合材料。试验证实，杂质纳米基元嵌入到陶瓷晶体内部，诱导陶瓷基体产生残余应变，有效提高了陶瓷基元的强度，从而使陶瓷基复合材料的多项力学性能提升，利于在生物医学、航空航天、军事防护领域中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 尺度 残余 应变 优化 仿生 陶瓷 基材 料及 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于纳米尺度残余应变优化的仿生陶瓷基材料，其特征在于，包括：陶瓷基框架；与所述陶瓷基框架相复合的聚合物；所述陶瓷基框架包括陶瓷基体和杂质纳米基元，所述杂质纳米基元嵌入陶瓷基体晶粒中和/或存在于陶瓷基体晶粒之间。
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