[发明专利]负性光刻胶图形化膜层的制备方法在审
| 申请号： | 201910717526.4 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN112320752A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 刘涛;龚艳飞;陈洋 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种负性光刻胶图形化膜层的制备方法，包括：1)在基底上形成负性光刻胶层，并对负性光刻胶层进行整面性的第一紫外光曝光以固化负性光刻胶层，然后烘烤去除负性光刻胶中的溶剂；2)于负性光刻胶层表面形成正性光刻胶层，并对正性光刻胶层进行掩膜版曝光及显影；3)采用干法刻蚀工艺将正性光刻胶中的图形转移至负性光刻胶层；4)对正性光刻胶层进行第二紫外光曝光，并采用显影的方式将正性光刻胶去除，以形成负性光刻胶图形化膜层。本发明提供了一种芯片制造过程中的工艺改良方案，可以采用负性光刻胶代替聚酰亚胺(PI)，使得生产过程中无需高温烘烤，避免产品受高温影响损伤，并达到代替聚酰亚胺支撑产品结构的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 图形 化膜层 制备 方法 | ||
【主权项】：
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