[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201910718112.3 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN110400848B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 黎子兰 | 申请（专利权）人： | 广东致能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 510530 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种肖特基二极管，包括：衬底，其包括垂直界面；沟道层，其设置在垂直界面之外；沟道提供层，其设置在沟道层之外，沟道层中邻近沟道层与沟道提供层的界面形成垂直的二维电子气2DEG或者二维空穴气2DHG；第一电极，其与垂直的二维电子气2DEG或二维空穴气2DHG电连接，形成欧姆接触；以及第二电极，其与沟道提供层形成肖特基接触。本发明还涉及一种肖特基二极管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，包括：衬底，其包括垂直界面；沟道层，其设置在垂直界面之外；沟道提供层，其设置在沟道层之外，沟道层中邻近沟道层与沟道提供层的界面形成垂直的二维电子气2DEG或者二维空穴气2DHG；第一电极，其与垂直的二维电子气2DEG或二维空穴气2DHG电连接，形成欧姆接触；以及第二电极，其与沟道提供层形成肖特基接触。
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