[发明专利]一种外延生长基座有效
| 申请号： | 201910718301.0 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN110429050B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 俎世琦;方圭哲;金柱炫;王力 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延生长基座，其特征在于，包括：底座，所述底座的外缘周向间隔设有多个贯穿所述底座的气体通道；环形承载台，用于承载晶圆，所述环形承载台围设于所述底座外，所述环形承载台的上表面的高度高于所述底座的上表面的高度。根据本发明实施例的外延生长基座，通过将环形承载台围设于底座外形成承载晶圆的凹坑，并在底座的外缘周向开设贯穿底座的气体通道，可以起到排除外延生长源气体和还原气体的作用，避免了在外延沉积期间晶圆背部形成不均匀的硅膜以及由于刻蚀气体的进入造成晶圆背面损伤扩大的问题，提高了外延晶圆的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 基座 | ||
【主权项】：
1.一种外延生长基座，其特征在于，包括：底座，所述底座的外缘周向间隔设有若干贯穿所述底座的气体通道；环形承载台，用于承载晶圆，所述环形承载台围设于所述底座外，所述环形承载台的上表面的高度高于所述底座的上表面的高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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