[发明专利]一种近红外光电探测器件制造方法在审
| 申请号： | 201910719912.7 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110459631A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 黎瑞锋;吕莹 | 申请（专利权）人： | 岭南师范学院;黎瑞锋 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/113;H01L31/18 |
| 代理公司： | 50230 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈炳萍<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 524000广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种近红外光电探测器件制造方法，涉及光电探测器技术领域，解决了量子点表面由于配体不完全覆盖产生了悬挂键，往往导致量子点沉积成膜后，载流子输运能力较差、载流子容易被悬挂键俘获，不利于制备高灵敏的近红外光电探测器件的问题，其技术方案要点是：通过氯气的气氛处理，在器件制备过程当中，量子点湿法成膜的阶段，通过工艺手段原位把羧酸配体替换为短链氯离子配体，同时填补由于合成过程中的悬挂键，可以有效提升量子点膜的载流子输运性能，最终提升近红外光电探测器件探测效率。 | ||
| 搜索关键词： | 近红外光电探测器 量子点 悬挂键 载流子输运 成膜 配体 载流子 技术方案要点 光电探测器 量子点表面 氯气 工艺手段 合成过程 器件制备 气氛处理 探测效率 羧酸配体 氯离子 俘获 短链 湿法 沉积 制备 灵敏 替换 填补 制造 | ||
【主权项】：
1.一种近红外光电探测器件制造方法，其特征是：包括以下步骤：/nS1：选取重掺硅作为基底以及含有氧化硅绝缘层的基片作为衬底，氧化硅绝缘层的厚度小于300nm；/nS2：通过溶液旋涂或打印方法，在衬底基片沉积量子点薄膜，量子点薄膜厚度范围为10-50nm；/nS3：成膜后，通入氯气和氩气的混合气体，混合气体中氯气的气体体积占比为5％-15％，通气时间为2min-240min；/nS4：通气结束后，对量子点薄膜进行加热退火处理，处理时间为10min-60min；/nS5：加热处理后，在量子点薄膜两端，蒸镀金属电极，获得底栅控制的量子点FET光电探测器件。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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