[发明专利]SiC基板的加工方法有效

专利信息
申请号: 201910720429.0 申请日: 2019-08-06
公开(公告)号: CN110871506B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 关家一马 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: B28D5/00 分类号: B28D5/00;B24B7/22;B24B41/06;B28D5/04;B23K26/00;H01L21/78
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 乔婉;于靖帅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供SiC基板的加工方法,能够从SiC锭高效且经济地生成SiC基板。SiC基板的加工方法包含如下的工序:剥离层形成工序,将对于SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点定位于距离SiC锭(2)的上表面为期望的内部位置而对SiC锭(2)照射激光光线LB,从而形成剥离层(38);基质粘贴工序,在SiC锭(2)的上表面上粘贴基质(40);以及剥离工序,对剥离层(38)赋予外力而将SiC基板(44)与基质(40)一起剥离。
搜索关键词: sic 加工 方法
【主权项】:
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