[发明专利]SiC基板的加工方法有效
| 申请号： | 201910720429.0 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110871506B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 关家一马 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;B24B7/22;B24B41/06;B28D5/04;B23K26/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供SiC基板的加工方法，能够从SiC锭高效且经济地生成SiC基板。SiC基板的加工方法包含如下的工序：剥离层形成工序，将对于SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点定位于距离SiC锭(2)的上表面为期望的内部位置而对SiC锭(2)照射激光光线LB，从而形成剥离层(38)；基质粘贴工序，在SiC锭(2)的上表面上粘贴基质(40)；以及剥离工序，对剥离层(38)赋予外力而将SiC基板(44)与基质(40)一起剥离。 | ||
| 搜索关键词： | sic 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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