[发明专利]SiC基板的加工方法有效
申请号: | 201910720429.0 | 申请日: | 2019-08-06 |
公开(公告)号: | CN110871506B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 关家一马 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | B28D5/00 | 分类号: | B28D5/00;B24B7/22;B24B41/06;B28D5/04;B23K26/00;H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供SiC基板的加工方法,能够从SiC锭高效且经济地生成SiC基板。SiC基板的加工方法包含如下的工序:剥离层形成工序,将对于SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点定位于距离SiC锭(2)的上表面为期望的内部位置而对SiC锭(2)照射激光光线LB,从而形成剥离层(38);基质粘贴工序,在SiC锭(2)的上表面上粘贴基质(40);以及剥离工序,对剥离层(38)赋予外力而将SiC基板(44)与基质(40)一起剥离。 | ||
搜索关键词: | sic 加工 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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