[发明专利]评价晶片清洗效率的方法及实验装置在审

专利信息
申请号: 201910720622.4 申请日: 2019-08-06
公开(公告)号: CN110398500A 公开(公告)日: 2019-11-01
发明(设计)人: 刘子龙;胡怀志;冉运;朱顺全 申请(专利权)人: 武汉鼎泽新材料技术有限公司;湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
主分类号: G01N21/94 分类号: G01N21/94;G01Q60/24;H01L21/67;H01L21/683
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 涂洁
地址: 430057 湖北省武汉市经*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种用于评价晶片清洗效率的方法及实验装置,解决了现有方法准确性不高、存在系统误差和人为误差的问题。方法为将粘染物溶液滴入旋转中的晶片样品表面进行沾染实验,获得表面带有缺陷的沾染晶片样品;使用形貌表征仪器对沾染晶片样品表面进行形貌分析,获得该沾染晶片样品表面的清洗前缺陷数;将清洗液滴入旋转中的沾染晶片样品表面进行清洗实验,得到清洗晶片样品;使用形貌表征仪器对清洗晶片样品再次进行形貌分析,获得该沾染晶片样品表面的清洗后缺陷数;通过以下公式(A)进行清洗效率的计算,使用专用的实验装置进行沾染实验和清洗实验,具有测量方法简单可靠、准确性高、能为清洗液配方研究提供有力指导。
搜索关键词: 沾染 晶片 样品表面 清洗效率 实验装置 清洗 评价晶片 清洗晶片 形貌表征 形貌分析 缺陷数 清洗液配方 人为误差 系统误差 清洗液 溶液滴 专用的 滴入 染物 测量 研究
【主权项】:
1.一种评价晶片清洗效率的实验装置,其特征在于,包括一体式的清洗装置,其包括:真空旋转装置,用于真空吸附晶片样品并带动晶片样品旋转;注射装置,用于将粘染物溶液或清洗液注射至晶片样品表面;和支架,用于支撑所述真空旋转装置和所述注射装置。
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