[发明专利]一种抑制电压回折现象的RC-LIGBT器件有效
| 申请号： | 201910720650.6 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110400840B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 易波;蔺佳;杨瑞丰;赵青 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，涉及高压横向半导体器件，具体为一种抑制电压回折现象的RC‑LIGBT器件。本发明中，通过引入槽型集电极区、P型埋层区，与部分表面耐压区3共同形成RC抑制；使得在低集电极电压时，P型埋层和槽型集电极区之间的N型表面耐压区因耗尽具有高电阻，使得电子不能通过N型集电极，从而抑制了电压回折现象；当集电极电压增高时，电子将会在槽型集电极区一表面积聚，使得P型埋层和槽型集电极区一之间的N型表面耐压区电阻降低，从而能导通电流，同时，结构中形成的NPN型晶体管或n‑MOS结构也会加速关断过程中电子的抽取，使得器件具有更优的导通电阻和关断损耗之间的折中关系。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 电压 现象 rc ligbt 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有抑制电压回折现象的RC‑LIGBT器件，包括：半导体衬底(1)、位于半导体衬底之上的埋氧层区(2)以及位于埋氧层上的半导体层；所述半导体层包括：P型半导体基区(4)、栅极区、表面耐压区(3)、N型半导体缓冲区(14)、N型集电区(18)及RC抑制区；所述P型半导体基区(4)和栅极区位于半导体层一侧；所述N型半导体缓冲区(14)、RC抑制区和N型集电极区(18)位于半导体层另一侧，RC抑制区位于N型半导体缓冲区(14)与N型集电极区(18)之间；所述P型半导体基区(4)内分别设置有重掺杂N型半导体区(5)和重掺杂P型半导体区(6)，部分重掺杂N型半导体区(5)和部分重掺杂P型半导体区(6)上覆盖有发射极金属(7)；所述栅极区采用平面栅极区、位于所述P型半导体基区(4)上表面并覆盖部分重掺杂N型半导体区(5)和部分表面耐压区(3)；所述N型半导体缓冲区(14)内设置P型集电极区(13)，所述P型集电区(13)上表面覆盖有集电极金属(12)；所述N型集电极区(18)上覆盖集电极金属(12)；所述RC抑制区由部分表面耐压区(3)、P型埋层区(17)和槽型集电极区一组成，所述槽型集电极区一位于N型半导体缓冲区(14)与N型集电区(18)之间、且相互接触，所述P型埋层区(17)位于N型集电极区(18)之下、且所述P型埋层区与槽型集电极区一之间间隔有表面耐压区(3)；所述槽型集电极区一由位于槽壁的氧化介质层(16)、填充于槽内的P型多晶硅(15)、及覆盖于P型多晶硅表面的集电极金属(12)构成。
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