[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910721140.0 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110838478A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 韩正勋;金硕焕;金周东;卢晙镛;徐在源 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;赵莎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括芯片区域和围绕所述芯片区域的边缘区域；下介电层和上介电层，所述下介电层和所述上介电层位于所述半导体衬底上；再分布芯片焊盘，所述再分布芯片焊盘穿透所述芯片区域中的所述上介电层并连接到芯片焊盘；工艺监测结构，所述工艺监测结构位于所述边缘区域中；以及虚设元件，所述虚设元件位于所述边缘区域中并且具有比所述上介电层的上表面低的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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