[发明专利]基于雪崩效应的兼具非饱和磁阻和负微分电阻特征的器件有效
| 申请号： | 201910721523.8 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110518116B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 孙志刚;于涵;何雄;张孔斌;杨振;王嘉赋 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种基于雪崩效应的兼具非饱和磁阻和负微分电阻特征的器件，包括半导体基体、设于半导体基体上的绝缘层以及设于绝缘层上的金属电极，半导体基体、绝缘层以及金属电极构成阻挡层异质结结构。阻挡层异质结结构处于持续的电场中，发生雪崩效应以使器件获得负微分电阻效应的特征，阻挡层异质结结构处于磁场中，雪崩效应受到抑制以获得非饱和磁阻效应的特征。本发明可以得到能在基于雪崩效应的情况下兼具非饱和磁阻和负微分电阻特征的器件，可用于在同一器件中实现多功能领域的应用，如在同一器件中可实现信息存储和电路放大器的功能应用。本发明所涉及的器件结构设计和性能测试方法简单，更易于生产应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 雪崩 效应 兼具 饱和 磁阻 微分 电阻 特征 器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于雪崩效应的兼具非饱和磁阻和负微分电阻特征的器件，其特征在于：包括半导体基体、设于所述半导体基体上的绝缘层以及设于所述绝缘层上的金属电极，所述半导体基体、所述绝缘层以及所述金属电极构成阻挡层异质结结构，所述阻挡层异质结结构处于持续的电场中，发生雪崩效应以使所述器件获得负微分电阻效应的特征，所述阻挡层异质结结构处于磁场中，雪崩效应受到抑制以获得非饱和磁阻效应的特征，所述器件兼具的特征都是起源于阻挡层异质结结构的雪崩效应。/n
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