[发明专利]一种检测DDR内存模块中异常DDR内存的方法有效
| 申请号： | 201910722005.8 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110618905B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 肖运涓;何曾;韩小江;冯珑;冯荣斌;黄敏君;张坤 | 申请（专利权）人： | 晶晨半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/22 | 分类号： | G06F11/22 |
| 代理公司： | 深圳市智胜联合知识产权代理有限公司 44368 | 代理人： | 李永华 |
| 地址： | 518054 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种检测DDR内存模块中异常DDR内存的方法，包括如下步骤：S1:通过主控模块向DDR内存模块进行检测，如果检测不通过，进行步骤S2；S2：通过主控模块向1号DDR内存和3号DDR内存进行检测，如果检测通过，说明1号DDR内存和3号DDR内存无异常，进行步骤S4，如果检测不通过，说明1号DDR内存或3号DDR内存存在异常，进行步骤S3；S3：通过主控模块向1号DDR内存进行检测，如果检测通过，说明3号DDR内存异常，如果检测不通过，说明1号DDR内存异常；S4：通过主控模块向2号DDR内存进行检测，如果检测通过，说明4号DDR内存异常，如果检测不通过，说明2号DDR内存异常。 | ||
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【主权项】：
1.一种检测DDR内存模块中异常DDR内存的方法，其特征在于，检测DDR内存模块中异常DDR内存的方法包括主控模块和DDR内存模块，DDR内存模块包括1号DDR内存、2号DDR内存、3号DDR内存和4号DDR内存，所述检测DDR内存模块中异常DDR内存的方法包括如下步骤：/nS1:通过主控模块向DDR内存模块进行检测，如果检测不通过，进行步骤S2；/nS2：通过主控模块向1号DDR内存和3号DDR内存进行检测，如果检测通过，说明1号DDR内存和3号DDR内存无异常，进行步骤S4；如果检测不通过，说明1号DDR内存或3号DDR内存存在异常，2号DDR内存或4号DDR内存有存在异常的风险，进行步骤S3和步骤S4；/nS3：通过主控模块向1号DDR内存进行检测，如果检测通过，说明3号DDR内存异常，如果检测不通过，说明1号DDR内存异常；/nS4：通过主控模块向2号DDR内存进行检测，如果检测通过，说明4号DDR内存异常，如果检测不通过，说明2号DDR内存异常。/n
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