[发明专利]磁性随机存储器架构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910722857.7 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112349322A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40;G11C11/56;H01L43/02;H01L43/10 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种磁性随机存储器架构及其制造方法，所述磁性随机存储器架构的每一存储单元设置于字线与位线相交部位，包括垂直场效晶体管与磁性隧道结，垂直场效晶体管由栅极、鳍状结构与N++半导体区组成。栅极延着鳍状结构两侧而成型，栅极对应位线的部位通过导电组件连接磁性隧道结。本申请通过栅极顺着鳍状结构形成，使得垂直场效晶体管在兼容使用于鳍状设计的同时，提升存储器的存储单元成型密度，有助于存储器记忆容量的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机 存储器 架构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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