[发明专利]一种匹配碱抛选择性发射极的正面钝化工艺

摘要

本发明涉及单晶PERC背面刻蚀碱抛工艺领域。一种匹配碱抛选择性发射极的正面钝化工艺，在碱抛工艺前氧化过程中，采用高温热氧沉积氧化层和慢的降温速率相结合，即沉积氧化层过程的工艺条件为，沉积温度790‑810℃，压力100‑120mbar，氧流量3000‑3500sccm，时间25‑35min，降温过程中分三个步骤,然后退舟出管采用现有工艺；在碱抛工艺镀膜过程时，单独增加一层富硅膜层，即利用PECVD的方式沉积第一层富硅膜层。

主权项

1.一种匹配碱抛选择性发射极的正面钝化工艺，其特征在于：在碱抛工艺前氧化过程中，采用高温热氧沉积氧化层和慢的降温速率相结合，即沉积氧化层过程的工艺条件为，沉积温度790‑810℃，压力100‑120mbar，氧流量3000‑3500sccm，时间25‑35min，降温过程中分三个步骤，以3℃/min的降温速率由790‑810℃降至740‑760℃，以5℃/min的降温速率由740‑760℃降至700‑720℃，以7℃/min的降温速率由700‑720℃降至650‑670℃，然后退舟出管采用现有工艺；在碱抛工艺镀膜过程时，单独增加一层富硅膜层，即利用PECVD的方式沉积第一层富硅膜层，沉积射频功率6500‑7000W，沉积温度400‑450℃，沉积压力1700mtorr，氨气流量1850‑1950sccm，硅烷流量4450‑4550sccm，硅烷氨气比25‑30%，沉积时间80‑100s，利用PECVD的方式沉积后续氮化硅膜层，沉积射频功率7500‑8500W，沉积温度400‑450℃，沉积压力1700mtorr，氨气流量6350‑6370sccm，硅烷流量450‑470sccm，沉积时间430‑470s。