[发明专利]GaN异质结快恢复二极管器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910724127.0 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN112349789A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 张卫;王巍;李晓茜;卢红亮;黄伟 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/267;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN异质结快恢复二极管器件结构及其制作方法，属于二极管领域。本发明提供的GaN异质结快恢复二极管器件结构，具有正极金属层、基底层以及负极金属层，其中基底层包括衬底层以及外延层；外延层外表面上具有凹槽，凹槽内填充有P型Si材料。本发明提供的二极管器件结构制作方法包括如下步骤：S1，沉积SiN作为掩蔽层，铺展光刻胶，光刻P型窗口，刻蚀P型窗口中的掩蔽层和外延材料，形成深槽；S2，除去光刻胶层，填充深槽，蚀除去多余的多晶硅和全部掩蔽层；S3，蒸发金属材料，快速热退火，形成负极金属层；步骤4，蒸发金属材料，形成正极金属层。本发明提供的二极管器件结构具有更快的关断速度，制作方法具有较好的工艺兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | gan 异质结快 恢复 二极管 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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