[发明专利]单晶PERC背面碱刻蚀工艺有效
| 申请号： | 201910724178.3 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110416364B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 吕爱武;鲁贵林;赵科巍;张波;杨飞飞;张尧;杜泽霖;李陈阳;郭丽;郭卫;董建明;邓铭 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/306 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池生产领域，单晶PERC背面碱刻蚀工艺，背面去除PSG，在硅片正面采用水膜保护的条件下，利用氢氟酸水溶液中对硅片背面扩散后形成的PSG进行去除；去PSG中要防止正面过刻，否则后续进一步抛光时会破坏pn结；背面碱抛光，整个背面碱抛光过程控制硅片减重0.2±0.01g，背面碱抛光按照预清洗、碱抛光、碱清洗、酸清洗进行，预清洗过程采用氢氧化钾和双氧水溶液进行清洗，碱抛光采用化学辅助剂进行抛光，碱清洗采用氢氧化钾和双氧水溶液混合液进行清洗，酸清洗采用氢氟酸和盐酸混合水溶液进行。 | ||
| 搜索关键词： | perc 背面 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
1.单晶PERC背面碱刻蚀工艺，其特征在于：在单晶PERC背面刻蚀过程中按照如下的步骤进行步骤一、背面去除PSG，在硅片正面采用水膜保护的条件下，利用氢氟酸水溶液中对硅片背面扩散后形成的PSG进行去除；去PSG中要防止正面过刻，否则后续进一步抛光时会破坏pn结；步骤二、背面碱抛光，整个背面碱抛光过程控制硅片减重0.2±0.01g，背面碱抛光按照预清洗、碱抛光、碱清洗、酸清洗进行，预清洗过程采用氢氧化钾和双氧水溶液进行清洗，碱抛光采用化学辅助剂进行抛光，碱清洗采用氢氧化钾和双氧水溶液混合液进行清洗，酸清洗采用氢氟酸和盐酸混合水溶液进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
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