[发明专利]钼圆PVD磁控溅射镀膜方法在审
| 申请号： | 201910724611.3 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110551983A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 高敏杰;詹晓北;吴剑荣;李志涛;俞叶;赵占平 | 申请（专利权）人： | 宜兴市科兴合金材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/02 |
| 代理公司： | 32248 无锡大扬专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 杨青 |
| 地址： | 214200 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于钼圆片生产技术领域，具体涉及钼圆PVD磁控溅射镀膜方法，包括以下步骤：（1）钼圆在镀膜前被加热到100℃～150℃；（2）用高频等离子轰击钼圆片表面，对钼圆表面所吸附的杂质做进一步清除；（3）再开始用磁控溅射的方法在钼圆表面镀膜。本发明提供的钼圆PVD磁控溅射镀膜方法，既能保证镀制薄膜层的致密性，减少膜的厚度，并且达到较小的薄膜应力，不易开裂。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射镀膜 圆表面 钼圆片 镀膜 高频等离子 磁控溅射 生产技术 薄膜层 致密性 镀制 吸附 薄膜 轰击 加热 保证 | ||
【主权项】：
1.钼圆PVD磁控溅射镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：/n（1）钼圆在镀膜前被加热到100℃～150℃；/n（2）用高频等离子轰击钼圆片表面，对钼圆表面所吸附的杂质做进一步清除；/n（3）再开始用磁控溅射的方法在钼圆表面镀膜。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宜兴市科兴合金材料有限公司，未经宜兴市科兴合金材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910724611.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
