[发明专利]一种大面积单晶石墨烯生长方法在审
| 申请号： | 201910725173.2 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110359088A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 兰飞飞;王再恩;张嵩;董增印;郝建民 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B25/00 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积单晶石墨烯生长方法。该方法利用选区成核技术，减少衬底表面的成核密度，利用Cu面进行不同成核点晶向的控制，并通过衬底的表面钝化处理消除生长过程中的二次成核，最终利用碳源注入喷头实现碳源的定点输送，实现石墨烯的合并生长，获得大面积的单晶石墨烯。该方法可控性高，重复性较好，利于大面积单晶石墨烯的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 大面积单晶 生长 喷头 表面钝化处理 衬底表面 单晶石墨 二次成核 生长过程 成核点 核技术 可控性 衬底 成核 晶向 选区 合并 | ||
【主权项】：
1.一种大面积单晶石墨烯生长方法，其特征在于，所述方法按照以下步骤完成：第一步：利用磁控溅射在图案化的Cu衬底表面进行C薄膜的选区溅射；第二步：利用有机溶剂去除Cu表面的光刻胶，最后Cu衬底表面特定区域留有磁控溅射的C薄膜；第三步：将图案化的衬底置于石墨烯生长系统中，在Ar与O2气氛下将系统升温至300℃‑500℃，对衬底进行表面钝化处理，以避免新的成核点的出现；第四步：30min内将系统温度升至900℃‑1000℃，通入50sccm的H2，开始进行成核过程，成核过程时间10min；第五步：利用与衬底图案对应的喷头进行定点碳源的输送，通入甲烷流量5sccm进行定点成核，以进行石墨烯的生长，生长时间30min‑60min；第六步：生长结束，降温，取样。
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