[发明专利]时钟波高值升压电路在审
| 申请号： | 201910725485.3 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110829829A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 宇都宫文靖 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;闫小龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及时钟波高值升压电路。时钟波高值升压电路具备：第一NMOS晶体管，漏极连接于电源端子，源极连接于第一节点，栅极连接于第一输入端子；第二NMOS晶体管，漏极连接于第一节点，源极连接于GND端子，栅极连接于第二输入端子；第三NMOS晶体管，漏极连接于电源端子，源极连接于第二节点，栅极连接于第二输入端子；电容器，被连接在第一节点与第二节点间；PMOS晶体管，源极连接于第二节点，漏极连接于输出端子，栅极连接于第二输入端子；以及第四NMOS晶体管，漏极连接于输出端子，源极连接于GND端子，栅极连接于第二输入端子，第一NMOS晶体管和第三NMOS晶体管由耗尽型NMOS晶体管构成。 | ||
| 搜索关键词： | 时钟 波高值 升压 电路 | ||
【主权项】：
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