[发明专利]一种MWT铜铝芯板拼接加工方法有效
申请号: | 201910725808.9 | 申请日: | 2019-08-07 |
公开(公告)号: | CN110416366B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 吕锋;张彩霞;吴仕梁;路忠林;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/05 |
代理公司: | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人: | 李玉平 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种MWT铜铝芯板拼接加工方法,包括如下步骤:步骤1,将两张500mm的原始铜铝箔长边相接并平铺在EVA上,与衬底EVA进行粘接,粘接成一整体后对原始铜铝箔进行刻线,刻线后将刻出的线径撕掉;撕线后将尾部镂空断路区域的铜铝导电芯板幅面揭掉;步骤2,将准备好替换原始铜铝导电芯板的尾部镂空断路区域的替代幅面,沿原始铜铝导电芯板幅面边缘贴在EVA上方,然后通过加热模块将替代幅面与EVA粘接。本发明解决了铜铝芯板拼接位置镂空断路的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 mwt 铜铝芯板 拼接 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种MWT铜铝芯板拼接加工方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,将两张500mm的原始铜铝箔长边相接并平铺在EVA上,与衬底EVA进行粘接,粘接成一整体后对原始铜铝箔进行刻线,刻线后将刻出的线径撕掉;撕线后将尾部镂空断路区域的铜铝导电芯板幅面揭掉;步骤2,将准备好替换原始铜铝导电芯板的尾部镂空断路区域的替代幅面,沿原始铜铝导电芯板幅面边缘贴在EVA上方,然后通过加热模块将替代幅面与EVA粘接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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