[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910726333.5 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN112349773A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 赵树峰 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底、多层半导体层、介质层、源极和漏极，多层半导体层和介质层中形成有栅极沟槽，栅极沟槽内形成有栅极，栅极沟槽包括形成在多层半导体层中的栅极沟槽第一分部以及贯穿介质层中的栅极沟槽第二分部，栅极沟槽第二分部包括位于介质层靠近衬底一侧表面的第二开口以及位于介质层远离衬底一侧表面的第三开口，第三开口在衬底上的垂直投影覆盖第二开口在衬底上的垂直投影，且第三开口的开口面积大于第二开口的开口面积。如上设计，栅极在靠近衬底一侧具备小尺寸，利于实现高频特性；栅极在远离衬底一侧具备较大尺寸，利于降低栅极电阻，抑制半导体器件的短沟道效应，提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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