[发明专利]一种便于检测的多个MOSFET管并联电路有效
申请号: | 201910726566.5 | 申请日: | 2019-08-07 |
公开(公告)号: | CN110957896B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 李飞;姚欣 | 申请(专利权)人: | 河南嘉晨智能控制股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 成都佳划信知识产权代理有限公司 51266 | 代理人: | 任远高 |
地址: | 450016 河南省郑州市河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种便于检测的多个MOSFET管并联电路。该电路特征是:在每个MOSFET管栅极驱动电阻和驱动信号预留端口之间增设驱动二极管,每个驱动二极管的阳极接公共驱动信号预留端口,从驱动电阻与各自连接的MOSFET管栅极之间引出检测点。当需要对该电路中的MOSEFET管检测时、外部检测电路将驱动源Vg接到待检测MOSFET管对应的检测点。本发明提供的方案通过对多个MOSFET管并联电路的少量改动、在不影响其正常工作的前提下,实现了在对多个MOSFET管并联电路中单一MOSFET管检测时对其它MOSFET管的驱动隔离。电路改动少,结构简洁、使用方便。 | ||
搜索关键词: | 一种 便于 检测 mosfet 并联 电路 | ||
【主权项】:
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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