[发明专利]对准标记的识别方法及晶圆对准方法在审
| 申请号： | 201910727326.7 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110444492A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 周云鹏 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种对准标记的识别方法及晶圆对准方法，包括：提供待键合的晶圆，所述晶圆包括衬底、位于所述衬底上的对准标记、覆盖所述对准标记的薄膜层；提供对准模块，所述对准模块包括多种光源，每种所述光源对应一个波段；根据所述薄膜层的厚度配置一种相对应波长的光源，或根据选定的一种光源的波长调整所述薄膜层的厚度，使所述薄膜层的厚度等于对应的所述光源波长的整数倍。避免了光在所述薄膜层间干涉引起对准标记的图案变化，提高键合过程中对准标记的识别率，进而提升晶圆对准精度。 | ||
| 搜索关键词： | 对准标记 薄膜层 晶圆 对准 光源 衬底 波长调整 光源波长 键合过程 图案变化 识别率 整数倍 波长 波段 键合 干涉 覆盖 配置 | ||
【主权项】：
1.一种对准标记的识别方法，其特征在于，包括：提供待键合的晶圆，所述晶圆包括衬底、位于所述衬底上的对准标记、覆盖所述对准标记的薄膜层；提供对准模块，所述对准模块包括多种光源，每种所述光源对应一个波段；根据所述薄膜层的厚度配置一种相对应波长的光源，或根据选定的一种光源的波长调整所述薄膜层的厚度，使所述薄膜层的厚度等于对应的所述光源波长的整数倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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