[发明专利]漏电流补偿装置和半导体存储器装置在审
| 申请号： | 201910728178.0 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110992998A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 白钟民;维维克·文卡塔·卡鲁尔;金鍾律;比拉·阿哈默德·扬尤亚 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张川绪;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了漏电流补偿装置和半导体存储器装置。该漏电流补偿装置包括：电流供应单元，被配置为向存储器装置的设置在字线与位线的交叉点处的多个单元之中的至少一个操作单元供应电流；漏电流感测单元，被配置为感测流到所述多个单元之中的非操作单元的漏电流的量，以基于感测的漏电流的量输出结果值；以及补偿电流供应单元，被配置为接收结果值并向操作单元供应补偿电流。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电 补偿 装置 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910728178.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
