[发明专利]半导体器件和制造方法在审

专利信息
申请号: 201910728437.X 申请日: 2019-08-08
公开(公告)号: CN111816564A 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 李欣怡;李达元;苏庆煌 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/49;H01L21/28
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 桑敏
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本公开涉及半导体器件和制造方法。公开了半导体器件和制造方法。提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。在实施例中,使用处理工艺以将硅引入p‑金属功函数层。通过将硅引入p‑金属功函数层,可以防止可能包括诸如铝之类的可扩散材料的随后沉积的层扩散通过p‑金属功函数层并影响器件的工作。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
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