[发明专利]晶圆键合结构以及晶圆键合方法在审
| 申请号： | 201910728592.1 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110429074A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 时瑞;高俊九;李志伟;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体地涉及一种晶圆键合结构以及晶圆键合方法。所述晶圆键合结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆的第二面形成有对称分布的第一键合结构和对称分布的第一辅助键合结构；第二晶圆，所述第二晶圆的第一面形成有对称分布的第二键合结构和对称分布的第二辅助键合结构；其中，所述第一键合结构与所述第二键合结构对准键合，第一辅助键合结构与所述第二辅助键合结构对准键合，所述第一辅助键合结构和所述第二辅助键合结构都具有电磁特性。带磁性的第一辅助键合结构和第二辅助键合结构可以相互吸引，提高了对准精度，从而提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助键 对称分布 键合结构 晶圆键合 晶圆 面形 半导体技术领域 产品良率 电磁特性 对准键合 结构对准 键合 圆键 种晶 对准 申请 吸引 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆键合结构，包括：第一晶圆，所述第一晶圆的第二面形成有第一键合结构和第一辅助键合结构；第二晶圆，所述第二晶圆的第一面形成有第二键合结构和第二辅助键合结构；其中，所述第一键合结构与所述第二键合结构对准键合，第一辅助键合结构与所述第二辅助键合结构对准键合，所述第一辅助键合结构和所述第二辅助键合结构都具有电磁特性。
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