[发明专利]双频c型开口谐振环太赫兹环偶极子超表面及制备方法在审
| 申请号： | 201910728969.3 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110364822A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 王爽;赵崤利;王松 | 申请（专利权）人： | 天津职业技术师范大学（中国职业培训指导教师进修中心） |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300222 天津市津南区大*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明是双频c型开口谐振环太赫兹环偶极子超表面及制备方法，双频c型开口谐振环太赫兹环偶极子超表面，其超表面是由同一平面的旋转对称的两个c型开口谐振环获得，在介质层上设置c型开口谐振环的金属层；金属层的排列形状为：两个c型开口谐振环关于z轴旋转对称；以超表面的几何中心为原点，旋转对称的两个c型开口谐振环均相距0μm～30μm，开口角度范围为10°～140°并且c型开口谐振环的外环半径和内环半径范围分别为25μm～60μm和20μm～55μm；同时采用“介质‑金属”结构，能够有效增强正面入射强度，用于制备太赫兹传感器、探测器、调制器、吸波器等太赫兹器件。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振环 旋转对称 偶极子 双频 制备 金属层 几何中心 排列形状 原点 调制器 介质层 传感器 探测器 内环 入射 吸波 开口 金属 相距 | ||
【主权项】：
1.一种双频c型开口谐振环太赫兹环偶极子超表面，其特征是：双频c型开口谐振环太赫兹环偶极子超表面，其超表面是由同一平面的旋转对称的两个c型开口谐振环获得，在介质层上设置c型开口谐振环的金属层；金属层的排列形状为：两个c型开口谐振环关于z轴旋转对称；以超表面的几何中心为原点，旋转对称的两个c型开口谐振环均相距0μm～30μm，开口角度范围为10°～140°并且c型开口谐振环的外环半径和内环半径范围分别为25μm～60μm和20μm～55μm；金属层厚度为0.2μm～0.6μm；所有c型开口谐振环尺寸相同，距离相等；c型开口谐振环的金属层与介质层距离为15μm～30μm。
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