[发明专利]一种P型单晶PERC双面电池及其制作方法

摘要

本发明提供了一种P型单晶PERC双面电池及其制作方法，包括如下步骤：步骤S1，表面制绒；步骤S2，扩散形成PN结；步骤S3，周边刻蚀及背面抛光；步骤S4，二氧化硅层制备；步骤S5，背面叠层膜制备；步骤S6，正面氮氧化硅层制备；步骤S7，背面激光开槽；步骤S8，正、背面电极制备。经本发明制作方法制备的P型单晶PERC双面电池，正面采用二氧化硅/氮氧化硅膜层结构代替常规氮化硅膜层，折射率可调控，可有效解决正面PID问题；背面采用AlOx/SixOyNz/SixCyNz叠层膜，具有很好的化学稳定性和很强的抗杂质扩散和水汽渗透能力；SiOxNy/SixCyNz膜层相比常规SiNx膜层，可有效解决背面PID问题，此外，SiOxNy/SixCyNz膜层的折射率可根据不同反应气体的比例而变化，具有良好的光学和电学特性。

主权项

1.一种P型单晶PERC双面电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，表面制绒：硅片在碱溶液下经过各向异性腐蚀在表面形成金字塔状形貌，以降低表面反射，反射率：11‑12%；步骤S2，扩散形成PN结：采用液态磷源法通过高温扩散，在P型硅片中掺入磷原子，形成PN结，方阻：110‑120欧姆；再采用激光掺杂方法在正面电极区域形成重掺区，方阻为：90‑95欧姆；步骤S3，周边刻蚀及背面抛光：清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃及周围边缘PN结；同时，背面经酸液腐蚀后进行抛光处理，减重0.25‑0.35g，背面反射率：32‑36%；步骤S4，二氧化硅层制备：通入适量的高纯度氧气，采用热氧化方法在硅片正、背面沉积一层二氧化硅薄膜，其中，热氧化温度：600‑700℃，氧气流量：1000‑2000sccm，时间：15‑30min；步骤S5，背面叠层膜制备：使用PECVD法在硅片背面制备AlOx/ SixOyNz /SixCyNz叠层膜，其中，AlOx膜厚度为15‑20nm，折射率：1.65；采用不同比例均匀混合的SiH₄、NH₃和N₂O制备SixOyNz膜，厚度：60‑100nm，折射率：2.05‑2.10；采用不同比例均匀混合的SiH₄、CH₄、NH₃和N₂O制备SixCyNz膜，厚度：20‑60nm，折射率：2.10‑2.20；步骤S6，正面氮氧化硅层制备：至少一层膜结构的正面氮氧化硅层制备的条件为：沉积温度：450‑550℃，N₂O流量：200‑800sccm，压力：1500‑2000pa，沉积时间：500‑700s；步骤S7，背面激光开槽：利用激光相融原理进行背面叠层钝化膜局部开槽，背面激光图形参数为：线数：120‑160根；光斑直径：10‑35μm，激光线的间距：500‑700μm；步骤S8，正、背面电极制备：背面印刷背面电极和铝栅线，背面采用铝栅线、铝背场网版结构，其中，铝栅线宽度：120‑270μm，副栅根数：120‑160根；正面印刷正面电极银栅线，再经过高温烧结，制得P型单晶PERC双面电池。