[发明专利]一种电驱动量子点单光子源及其制备方法在审
| 申请号： | 201910730539.5 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110379932A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 刘桂芝;何云;王冬峰 | 申请（专利权）人： | 上海南麟电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电驱动量子点单光子源以及制备方法，所述电驱动量子点单光子源包括依次设置的基底、正电极、空穴注入层、量子点发光层、电子注入层、负电极；其中，所述量子点发光层包括绝缘膜以及位于所述绝缘膜中，且与所述空穴注入层接触的量子点，所述量子点的材料为硫化银。通过对量子点的粒径、分布设计以及材料的选用、器件结构等方面的改进，得到了一种工作在通信波长、高效率、几乎没有多光子发射、背景噪声小和环境友好的电驱动单光子源。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 电驱动 量子点单光子源 空穴注入层 发光层 绝缘膜 制备 电子注入层 背景噪声 单光子源 光子发射 环境友好 器件结构 通信波长 依次设置 负电极 高效率 硫化银 正电极 基底 粒径 改进 | ||
【主权项】：
1.一种电驱动量子点单光子源，其特征在于，所述电驱动量子点单光子源包括依次设置的基底、正电极、空穴注入层、量子点发光层、电子注入层、负电极；其中，所述量子点发光层包括绝缘膜以及位于所述绝缘膜中与所述空穴注入层接触的量子点，所述量子点的材料为硫化银。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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