[发明专利]基于非晶氧化镓薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910732617.5 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110444618B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 张彦芳;程东;叶建东;巩贺贺;陈选虎;任芳芳;朱顺明;顾书林 | 申请（专利权）人： | 南京大学;南京大学深圳研究院;中电科技德清华莹电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/108;H01L31/0224;H01L31/20 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 赵艳平 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于非晶氧化镓薄膜的柔性日盲紫外探测器，探测器以高分子(如PET、聚酰亚胺)薄膜或织物为柔性衬底，使用超宽禁带半导体氧化镓(Ga |
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| 搜索关键词： | 基于 氧化 薄膜 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.基于非晶氧化镓薄膜的柔性日盲紫外探测器，其特征在于，探测器以高分子(如PET、聚酰亚胺)薄膜或织物为柔性衬底，使用超宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)(半导体层)为光探测材料，使用金属或氮化钛(TiN)半导体作为电极材料，通过光刻、刻蚀和薄膜沉积等半导体工艺制备肖特基接触电极层，形成金属电极‑半导体层‑金属电极(MSM)结构探测器，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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