[发明专利]一种禁带宽度可调的钙钛矿单晶生长方法在审
| 申请号： | 201910732718.2 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110578175A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 韩晓东;马林;严铮洸 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/06 |
| 代理公司： | 11203 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种禁带宽度可调的钙钛矿单晶快速生长方法，通过调控原料卤素的比例调控钙钛矿材料的禁带宽度。通过合成得到卤素混合的钙钛矿粉末并溶解到有机溶剂中，通过添加聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇或聚丙烯酸，低温加热生长出禁带宽度可调的卤素混合钙钛矿单晶。合成的碘/溴和溴/氯任意比例混合的铅基甲胺钙钛矿单晶大尺寸、形状规则、结晶性好。本发明可以任意调控铅基甲胺卤素钙钛矿单价，从1.51‑2.94eV禁带宽度任意调控。实验装置简单成本低，工艺简单可靠，所得单晶结晶性好。拓宽了钙钛矿单晶材料的种类。为在光电探测器和发光器件领域，寻找更优异性能的钙钛矿材料提供了新的材料基础。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 禁带 单晶 钙钛矿材料 宽度可调 甲胺 铅基 调控 合成 发光器件领域 任意比例混合 钙钛矿粉末 光电探测器 比例调控 材料基础 单晶材料 单晶结晶 低温加热 简单成本 聚丙二醇 聚丙烯酸 聚乙二醇 聚乙烯醇 快速生长 实验装置 形状规则 优异性能 有机溶剂 结晶性 单价 溶解 生长 | ||
【主权项】：
1.一种禁带宽度可调的钙钛矿单晶快速生长方法，其特征在于：通过调节原料不同卤素的比例得到不同带隙宽度的钙钛矿粉末，极性溶剂配制钙钛矿溶液并添加聚合物，钙钛矿生长溶液晶体生长得到禁带宽度可调的钙钛矿单晶；/n(1)用极性溶剂配制钙钛矿生长溶液；/n(2)向钙钛矿生长溶液中添加聚合物；所述添加的聚合物为含氧官能团聚合物，为聚乙二醇，聚丙二醇，聚乙烯醇，聚丙烯酸，聚丙烯酸钠，聚甲基丙烯酸甲酯，聚(乙二醇)-block-聚(丙二醇)-block-聚(乙二醇)中的一种；/n(3)将钙钛矿生长溶液过滤，加热生长出钙钛矿单晶。/n
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