[发明专利]成膜装置和成膜方法在审
| 申请号： | 201910733558.3 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110819966A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 桑田拓岳;庆本裕树;布重裕;藤井康 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/52;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及成膜装置和成膜方法，在向载置于载置部的基板供给成膜气体来对基板进行成膜时，抑制成膜气体绕到载置部的下方并附着于载置部。在从与处理容器内的载置部相向的成膜气体供给部向载置于载置部的基板供给成膜气体来对基板进行成膜的成膜装置中，以隔着间隙包围载置部的周围的方式设置有第一环状体，并设置有从第一环状体的内周缘向下方延伸的第二环状体。另外，从载置部的周缘起设置包括沿着第二环状体的内周面沿至第二环状体的下端面的流路形成面的第三环状体。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
