[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板有效
申请号: | 201910733593.5 | 申请日: | 2019-08-09 |
公开(公告)号: | CN110600482B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 许祖钊 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板,该阵列基板包括:基底,基底包括显示区域;位于基底上的低温多晶硅层,低温多晶硅层位于显示区域;位于基底上且覆盖低温多晶硅层的无机膜组层,无机膜组层上设有通孔,通孔位于低温多晶硅层上方,且通孔的侧壁与底壁之间的夹角不小于100度;位于无机膜组层上的源漏极层,源漏极层覆盖通孔的侧壁和底壁,以与低温多晶硅层连接。通过这种方式,减小位于源漏极层与低温多晶硅层之间的层间通孔的锥角,进而避免源漏极层由于层间通孔的锥角过大而出现厚度较薄甚至断线的问题,从而提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:/n基底,所述基底包括显示区域;/n位于所述基底上的低温多晶硅层,所述低温多晶硅层位于所述显示区域;/n位于所述基底上且覆盖所述低温多晶硅层的无机膜组层,所述无机膜组层上设有通孔,所述通孔位于所述低温多晶硅层上方,且所述通孔的侧壁与底壁之间的夹角不小于100度;/n位于所述无机膜组层上的源漏极层,所述源漏极层覆盖所述通孔的侧壁和底壁,以与所述低温多晶硅层连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的