[发明专利]一种基于拓展栅晶体管结构的表面电位测量方法在审
| 申请号： | 201910733844.X | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110556305A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 朱国栋 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 31200 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于仪器仪表技术领域，具体为一种基于拓展栅晶体管结构的表面电位测量方法。本发明的表面电位测量方法，采用如下部件构成的测试系统：电压源、电流表、晶体管、测试端；电压源用于给晶体管施加源漏偏压；电流表用于测试晶体管源漏偏压下的沟道电流；测试端与晶体管栅极电连接构成拓展栅晶体管结构，用于与待测物间产生静电感应；测试时，对晶体管施加恒定的源漏偏压，将待测物在垂直方向上靠近测试端；测量特定源漏偏压下测试端与待测物不同间距下晶体管源漏电流，经过数据拟合，即获得待测物的表面电位值。本发明方法操作简单，计算方便，精度可靠，可用于各类导体、半导体、绝缘体表面电位的测量。 | ||
| 搜索关键词： | 源漏偏压 测试端 待测物 晶体管 表面电位测量 晶体管结构 电流表 电压源 静电感应 测量 电位 施加 仪器仪表技术 测试晶体管 晶体管栅极 绝缘体表面 导体 表面电位 测试系统 沟道电流 晶体管源 数据拟合 电连接 恒定的 漏电流 可用 拓展 半导体 测试 | ||
【主权项】：
1.一种基于拓展栅晶体管结构的表面电位测量方法，其特征在于，采用如下部件构成的测试系统：电压源、电流表、晶体管、测试端；其中，电压源用于给晶体管施加源漏偏压；电流表用于测试晶体管源漏偏压下的源漏电流；测试端通过导电线或其它导电带与晶体管栅极电连接构成拓展栅晶体管结构，用于与待测物间产生静电感应；该系统可以实现待测物表面电位的测量；/n测试时，对晶体管施加恒定的源漏偏压，将待测物在垂直方向上靠近测试端，由于静电感应，在测试端诱导出异号电荷，从而在远离测试端的栅极端感应出同号电荷，相当于在栅极上额外施加一栅极电压，从而调控源漏电流；测量特定源漏偏压下测试端与待测物不同间距下晶体管源漏电流，经过数据拟合，即获得待测物的表面电位值。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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