[发明专利]一种P型全接触钝化太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 201910733946.1 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110571149B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 钱洪强;李跃;张树德;鲁科;魏青竹;倪志春 | 申请（专利权）人： | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 李萍 |
| 地址： | 215542 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型全接触钝化太阳能电池的制备方法，其能够消除背面氧化物薄层和多晶硅或非晶硅薄层的正面绕镀现象。所述制备方法依次包括如下步骤：A、对P型硅片进行制绒，且对制绒后硅片的背面进行刻蚀抛光；B、在硅片背面制备氧化物薄层，在氧化物薄层上制备多晶硅或非晶硅薄层；C、对多晶硅或非晶硅薄层进行硼掺杂；D、硅片以背面向上的方式经过刻蚀液，去除硼硅玻璃和硅片正面氧化物薄层及多晶硅或非晶硅薄层绕镀；E、在硅片背面的掺杂多晶硅薄层上制备氮化硅层；F、硅片正面酸洗后再次制绒，并进行磷掺杂；G、酸洗去除磷硅玻璃后，进行硅片正面热氧化；H、硅片正面镀氮化硅层；I、制作电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 钝化 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种P型全接触钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：/nA、对P型硅片进行制绒，且对制绒后硅片的背面进行刻蚀抛光；/nB、在硅片背面制备氧化物薄层，在氧化物薄层上制备多晶硅或非晶硅薄层；/nC、对多晶硅或非晶硅薄层进行硼掺杂；/nD、硅片以背面向上的方式经过刻蚀液，去除硼硅玻璃和硅片正面氧化物薄层及多晶硅或非晶硅薄层绕镀；/nE、在硅片背面的掺杂多晶硅薄层上制备氮化硅层；/nF、硅片正面酸洗后再次制绒，并进行磷掺杂；/nG、酸洗去除磷硅玻璃后，进行硅片正面热氧化；/nH、硅片正面镀氮化硅层；/nI、制作电极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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