[发明专利]一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括依次层叠的衬底、透明导电层、高阻层、n型含氧电子传输层、p型硒化锑吸收层以及背电极，n型含氧电子传输层是氧化物半导体或掺杂氧化合物半导体，n型含氧电子传输层中的氧元素在在后续高温升华法沉积吸收层的过程中向异质结界面以及p型硒化锑吸收层方向扩散，从而在异质结界面处形成了由于n型含氧电子传输层中氧元素扩散导致的局域氧分布，钝化界面缺陷，促进了界面匹配，提高了异质结的质量，进而提高了硒化锑薄膜太阳电池器件的性能。本发明提供了新的异质结界面缺陷钝化方法，其制备方法简化了氧的引入过程，制备工艺简单，对设备的要求较低。

主权项

1.一种硒化锑薄膜太阳电池，其特征在于，该硒化锑薄膜太阳电池包括依次层叠的衬底、透明导电层、高阻层、n型含氧电子传输层、p型硒化锑吸收层以及背电极，所述n型含氧电子传输层以及所述p型硒化锑吸收层的异质结界面处存在由于所述n型含氧电子传输层中氧元素扩散导致的局域氧分布，所述n型含氧电子传输层是氧化物半导体或掺杂氧的化合物半导体。