[发明专利]一种提升闪存读取准确性的方法、系统及装置在审
| 申请号： | 201910735030.X | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110232002A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 卢维彪;吴大畏;李晓强 | 申请（专利权）人： | 深圳市硅格半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区科技南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提升闪存读取准确性的方法、系统及装置，涉及数据读取技术领域。其技术要点包括存储数据进入数据缓冲区；基于数据待写入的物理地址，在数据缓冲区内为待写入的存储数据的指定位置写入标注信息；对待写入的存储数据进行LDPC编码，写入到对应物理地址的存储页中；获取要读取存储页的待读取数据；对待读取数据进行LDPC解码；在数据缓冲区内获取读取数据指定位置上的标注信息；校验标注信息和读取的物理地址是否匹配，若否将LDPC的错误位数修改为最大值；基于LDPC的错误位数进行纠错或者重读，本发明具有提升闪存读取准确性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 读取 写入 数据缓冲区 标注信息 存储数据 物理地址 闪存 系统及装置 错误位数 存储页 数据读取技术 技术要点 校验 纠错 匹配 | ||
【主权项】：
1.一种提升闪存读取准确性的方法，其特征在于：包括：存储数据进入数据缓冲区；基于数据待写入的物理地址，在数据缓冲区内为待写入的存储数据的指定位置写入标注信息；对待写入的存储数据进行LDPC编码，写入到对应物理地址的存储页中；获取要读取存储页的待读取数据；对待读取数据进行LDPC解码；在数据缓冲区内获取读取数据指定位置上的标注信息；校验标注信息和读取的物理地址是否匹配，若否将LDPC的错误位数修改为最大值；基于LDPC的错误位数进行纠错或者重读。
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