[发明专利]掺镓硅锭的制备方法、掺镓硅锭和硅片在审
| 申请号： | 201910735850.9 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110438565A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 明亮;黄美玲;段金刚;刘福刚 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;何文红 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺镓硅锭的制备方法、掺镓硅锭和硅片，该制备方法包括以下步骤：将液态金属镓注入到硅料的孔洞中，使液态金属镓固化和/或密封孔洞，所得装有金属镓的硅料与剩余硅料装入石英坩埚中，经过熔化、再结晶和退火冷却，得到掺镓硅锭。掺镓硅锭由上述制备方法制得。硅片由上述掺镓硅锭制得。本发明制备方法能够实现掺镓过程以及掺镓含量的有效、精确控制，具有操作方便、易于控制、掺镓量精确度高等优点，由此制得的掺镓硅锭具有纵向电阻率分布均匀性好、少子寿命长等优点，且进一步制成的太阳电池光电转换效率更高，光致衰减率更低，对于实现太阳电池的广泛应用具有十分重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 硅锭 制备 硅片 液态金属镓 硅料 太阳电池光电转换效率 孔洞 熔化 退火 分布均匀性 纵向电阻率 光致衰减 密封孔洞 少子寿命 石英坩埚 金属镓 剩余硅 再结晶 镓量 固化 装入 冷却 应用 | ||
【主权项】：
1.一种掺镓硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将液态金属镓注入到硅料的孔洞中，使液态金属镓固化和/或密封孔洞，得到装有金属镓的硅料；S2、将步骤S1中装有金属镓的硅料与剩余硅料装入石英坩埚中，经过熔化、再结晶和退火冷却，得到掺镓硅锭。
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