[发明专利]芯片封装结构的制作方法在审
| 申请号： | 201910735863.6 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN112349595A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 周辉星 | 申请（专利权）人： | 矽磐微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/34 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 张相钦 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种芯片封装结构的制作方法，首先在每一晶粒的正面形成包埋内焊盘的保护层，接着将多个晶粒的背面固定于载板，在各个晶粒以及各个晶粒之间的载板表面形成包埋各个晶粒的塑封层，研磨塑封层直至保护层露出；再接着在每一晶粒的保护层内形成至少一个第一开口，第一开口暴露内焊盘；在各个晶粒的内焊盘、保护层以及各个晶粒之间的塑封层上至少制作外焊盘与绝缘层以形成各个芯片，绝缘层暴露外焊盘的部分区域；之后去除载板，形成多芯片封装结构，切割多芯片封装结构形成多个芯片封装结构。各个芯片的背面暴露在芯片封装结构外，利于提升芯片的散热性能，可保证芯片的持续高效运行及解决芯片过热导致的影响寿命问题。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽磐微电子（重庆）有限公司，未经矽磐微电子（重庆）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910735863.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：衣物处理装置
- 下一篇：一种滚动轴承的故障诊断方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
