[发明专利]堆叠式图像传感器的形成方法在审
| 申请号： | 201910737809.5 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110600491A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 渡邉光 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11654 北京市一法律师事务所 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种堆叠式图像传感器及其形成方法，其中形成方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括图像传感器；提供第二晶圆，所述第二晶圆的第一面与所述第一晶圆的第二面键合，且所述第二晶圆包括图像信号处理电路以及第二金属互连结构；在所述第二晶圆的第二面形成金属布线层，所述金属布线层通过所述第二晶圆内的通孔连接结构与所述第二金属互连结构电连接。本申请技术方案增大图像传感器的像素区域的面积，提高分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 金属互连结构 金属布线层 图像传感器 堆叠式图像传感器 图像信号处理电路 连接结构 像素区域 第二面 电连接 分辨率 键合 面形 通孔 申请 | ||
【主权项】：
1.一种堆叠式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：/n提供第一晶圆，所述第一晶圆形成有半导体衬底及第一金属连线层，所述第一金属连线层包括第一金属互连结构；/n提供第二晶圆，所述第二晶圆的第一面与所述第一晶圆的第二面键合，所述第二晶圆中形成有第二金属互连结构；/n刻蚀所述半导体衬底形成沟槽，所述沟槽贯穿所述半导体衬底；/n在所述第一晶圆的第一面上及所述沟槽表面形成第一介质层；/n从所述沟槽底部刻蚀所述第一金属连线层及所述第二晶圆形成通孔，所述通孔暴露所述第一金属互连结构的局部及所述第二金属互连结构的局部。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
